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晶格应变NiFeMOF在ORR的半波电位为0.83V时，建厂记具有500Agmetal-1的质量活性。沉浮（b）不同晶格应变的MOF与Pt/C的质量活度对比图。
（e，时代f）MOF不同晶格应变的XRD图及其XRD模拟图。美捉摸（b）晶格应变4.3%MOF的同位素标记的SR-FTIR光谱图。投稿以及内容合作可加编辑微信：建厂记cailiaokefu，我们会邀请各位老师加入专家群。
然而，沉浮对于4e-路径的快速反应的高活性过渡金属MOF催化剂探究仍然是一个巨大的挑战。时代（d）晶格应变4.3%MOF的OER中NiL3,2-边XAS谱图。
美捉摸图3不同晶格应变MOF的原子和电子结构（a）NiK边EXAFS光谱的傅里叶变换图。
建厂记（c）晶格应变4.3%MOF的ORR中NiL3,2-边XAS谱图。（e-f）H2O，沉浮OH和OOH中间体在MoS2/Ni3S2异质结构上的解离机制。
（b）调节Fe，时代羟基氧化钴和W，Fe掺杂的羟基氧化钴，钨酸钨和W氧化物的OER活性的能量学。iv）纳米阵列结构一般是在金属泡沫、美捉摸碳纤维布等分层衬底上制备的。
ii）要实现令人满意的电催化剂的微妙设计，建厂记必须明确理解其潜在的反应机理。沉浮（b）FeMnP在石墨烯涂层的镍泡沫上的SEM图像。